EK SOLAR - sic太阳能逆变器冷却方法

客户好评见证

• 欧洲某工业园区企业主

  2025年2月20日 下午3:00

  EK ENERGY的光伏折叠集装箱和储能柜子真是太给力了！自从安装后,我们园区的用电成本明显下降,原本高昂的电费账单现在每月能节省近30%,而且在电网出现波动时,生产也没受影响,关键设备依靠储能系统持续稳定运行,为我们的稳定运营提供了有力保障,非常值得推荐！不仅如此,其智能控制系统还能帮我们精准分析用电数据,进一步优化生产排班,提高了整体的生产效率呢。

• 欧洲某汽车制造工厂负责人

  2025年3月1日 上午9:00

  我们工厂引入了EK ENERGY的光伏折叠集装箱和储能柜子后,效果超乎想象。在白天生产高峰时段,储能系统能及时补充电能,避免了因电网供电不足导致的生产线停工风险。而且通过利用夜间低谷电价充电,一年下来用电成本降低了一大截,估计能节省几十万欧元呢。同时,设备的稳定性也很棒,几乎没出现过故障,对我们按时交付订单起到了关键作用,真心点赞！

• 欧洲某食品加工企业老板

  2025年3月10日 下午2:00

  EK ENERGY的这套储能方案太实用了！对于我们食品加工企业来说,电力供应的稳定性至关重要,自从安装了光伏折叠集装箱和储能柜子,哪怕遇到极端天气致使外部电网短暂中断,我们的冷藏、加工等关键环节都能正常运转,保障了产品质量不受影响。而且它的操作很简便,我们的员工经过简单培训就能熟练掌握,日常维护成本也很低,帮我们解决了大问题,必须推荐给同行们！

• 北美洲某电子科技公司运营总监

  2025年4月5日 上午11:00

  选择EK ENERGY的光伏折叠储能产品是我们做的很明智的决定。它的光伏折叠集装箱安装便捷,没怎么影响我们正常的生产运营,就快速投入使用了。储能柜子的储能容量完全能满足我们公司服务器机房等重要设备的应急用电需求,在电网进行升级改造期间,依靠它顺利度过了那段可能面临停电风险的日子,保障了公司的数据安全和业务连续性,真的是太靠谱了！

• 南美洲某制药企业厂长

  2025年4月20日 下午4:30

  EK ENERGY的光伏折叠集装箱和储能柜子给我们制药厂带来了诸多好处。我们对生产环境的电力稳定性要求极高,这套系统不仅在日常能稳定供电,还在几次电网突发故障时发挥了关键作用,让我们的生产车间、研发实验室等都能持续运作,避免了巨大损失。而且它的节能效果显著,结合我们厂区的用电特点,合理配置储能策略后,用电成本降低了不少,同时也符合我们企业绿色发展的理念,非常满意！

• 非洲某矿业公司总经理

  2025年5月10日 下午2:30

  在我们非洲这边的矿区,电力供应一直是个难题,自从安装了EK ENERGY的光伏折叠集装箱和储能柜子,情况大为改观。矿区地处偏远,电网不稳定,但现在依靠这套储能系统,无论是开采设备还是办公区域的用电都有了保障,而且利用当地充足的太阳能资源,大大降低了从外部购电的成本,对我们的生产经营帮助太大了,真的是非常实用的产品！

• 中东某农业加工企业负责人

  2025年3月25日 上午10:00

  EK ENERGY的光伏折叠储能产品在我们中东的农业加工企业应用效果显著啊！我们这里光照资源丰富,通过安装光伏折叠集装箱和储能柜子,白天生产加工过程中,储能系统能很好地补充电能,减少了对传统电网的依赖,用电成本降低了不少。同时,遇到恶劣天气电网故障时,它也能确保我们的农产品冷藏、加工设备正常运行,避免了农产品的损失,非常值得信赖！

• 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理（一）（慧博出品） 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC…

  作者：慧博智能投研. 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理. 近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点 ...

• 碳化硅肖特基二极管

  SiC 肖特基势垒二极管在 1985 年问世，是 Yoshida 制作在 3C-SiC 上的，它的肖特基势垒高度用电容测量是 1.15 (±0.15) eV，用光响应测量是 1.11 (±0.03) eV，它的击穿电压只有8 V，第一只6H-SiC肖特基二极管的击穿电压大约有200 V，它是由 Glover. G. H 报道出来的。

• 碳化硅（SiC）：现状与未来发展趋势综述

  每一种半导体材料属性和应用领域各不相同，不管是主流的Si，还是专用领域的GaAs，甚至是下一代的SiC和GaN，各有各的擅长之处，所谓的代数编码，更体现在应用场景和普及时间的不同，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。，则得到2H-SiC，如果是ABAC…，则是6H-SiC。

• 碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角-电子工程专辑

  同时期的硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm（6英寸），每片晶圆能制造的芯片数量不大，远不能满足下游需求。真的这么难吗？包括SiC在内的第三代半导体产业链包括包括衬底→外延→设计→制造→封装，SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底制造 ...

• 纳米碳化硅

  SiC 纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明：微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、金属基和聚合物基复合材料，这些复合材料均表现出良好的机械性能，可以想象用强度硬度更高及长径比更大 ...

• SiC长晶技术简析：PVT、LPE、HTCVD

  SiC晶体 长晶技术的发展历史 1885年，Acheson[1]通过将焦炭与硅石混合后在电熔炉中加热的方法制备了SiC。 当时人们误认为这是一种钻石的混合物，并称之为金刚砂。 1892年，他改进了合成工艺，将石英砂、焦炭、少量木屑和NaCl混合均匀后放在电弧炉中加热到2700℃，获得了鳞片状 …

• 碳化硅简介

  SiC 晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以 β-SiC 形式存在；反映温度高于1600℃时，β-SiC逐渐转变成 α-SiC 的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成α-SiC。. SiC以原料C、 SiO2 、NaCl和木屑，高温冶炼而成，其反应法程式为： SiO2+3C®SiC+2CO­ （1）. 该冶炼制得的SiC若不含有 ...

• 用于提高牵引逆变器性能的双面冷却SiC模块-EDN 电子技术设计

  碳化硅(sic)和氮化镓(gan)等宽禁带(wbg)半导体可以大幅提高牵引逆变器、车载转换器和dc-dc转换器的电源转换效率，这些转换器构成了电动汽车中的电源转换模块。

• 非正交多址 NOMA 和 串形干扰删除 SIC

  文章浏览阅读8.3k次，点赞19次，收藏91次。NOMA 和SIC非正交多址 NOMA串形干扰删除 SIC举例一举例二非正交多址 NOMA非正交多址接入，即Non Orthogonal Multiple Access采用非正交的功率来区分用户，用户之间的数据可以在同一个时隙，同一个频点上传输NOMA的子信道传输依然采用正交频分复用（OFDM）技术，子 ...

• 国产全碳化硅（Sic）功率模块产品选型简介

  sic逆变器 使得电源频率增加，电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小。800v 架构时代来临，sic 在高压下较 igbt 性能优势更为明显，损耗降低度更大。sic 在新能源车主逆变器及 obc 中渗透率将快速提升。

• SiC、SoC、SIP、AD/DA、FPGA、ASIC你懂多少，来听专家详 …

  SiC 市场规模现状及预测(图源：:Yole) 碳化硅本身作为第三代半导体的代表材料，它具有耐高温、耐高压、抗辐射等优秀的性能。 例如特斯拉将碳化硅用于MOS管上， 很多人认为未来很多汽车上的芯片会由IGBT转向碳化硅 。

• 碳化硅功率器件技术综述与展望

  MOSFET、SiC IGBT、SiC GTO器件，并分析各 器件在实际应用中的优势和不足。最后，本文还对 现有器件技术进行总结，并对未来的发展方向进行 展望。 1 SiC功率器件 1.1 二极管 SiC 功率二极管有3 种类型：PiN 二极管、肖 特基二极管(Schottky barrier diode，SBD)和结势垒

• 首页-清纯半导体

  清纯半导体拥有国际领先水平的sic器件设计及工艺研发团队，团队核心从事sic半导体技术20余年，研发和产业化多代sic功率器件，包括sic二极管和mosfet，并先后通过工业级及车规级测试。 清纯半导体设计和量产的1200v sic二极管和mosfet性能已经处于国际领先水平 ...

• Silicon Carbide (SiC) Properties and Applications

  Silicon carbide is a hard covalently bonded material predominantly produced by the carbothermal reduction of silica (typically using the Acheson process). Several commercial grades of silicon carbide exist such as nitride bonded, sintered, reaction bonded, SiAlON bonded and clay bonded.

• 碳化硅MOS管驱动电路的设计（后文基于分立元件）

  一、进展情况1.1引言 SiC器件与Si器件相比，在材料、结构等方面有所不同，在器件特性上也存在一些差异，因此不能用现有的Si基功率器件的驱动电路来直接驱动SiC功率器件，后者的驱动电路需专门设计。在SiC开关过程…

• 【最全】2024年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附业务布局 …

  碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅行业在电子信息制造产业链中处于中上游环节，下游主要服务于新能源汽车、5G通信等行业，以满足产业需求。在碳化硅芯片制造环节，天岳先进是碳化硅行业的主要企业之一，围绕碳化硅衬底进行垂直深入的研究与生产。

• SiC MOSFET的结构及特性

  sic功率mosfet内部晶胞单元的结构，主要有二种： 平面结构 和 沟槽结构 。 平面 sic mosfet 的结构，如图1所示。 这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，n区夹在两个p区域之间，当电流被限制在靠近p体区域的狭窄的n区中流过时，将产生 …

• 碳化硅基板——三代半导体的领军者

  碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料。抗氧化…

• 系统解决方案："用于工业电机驱动的SiC逆变器"_sic驱动-CSDN博客

  如图 4 所示，通过使用 rohm 的第三代 sic mosfet，可以显着降低逆变器应用中的开关损耗。 这一出色的步骤使工程师能够提高开关频率，而无需像使用 IGBT 那样处理热应力。

• 碳化硅 (SiC) 提高太阳能逆变器系统的效率

  这里用复数"微型逆变器"最为准确，因为小型（微型）逆变器阵列可将太阳能电池板的直流电转换为交流电，为家庭或其他小型设施供电。 每个太阳能部分产生 40 至 …

• 一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

  sic‐mosfet 的漂移层阻抗比si mosfet 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，sic mosfet的mos 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比si 器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。

• 半导体碳化硅（SiC）功率模块封装技术进展的详解；

  现阶段，sic 功率模块大多沿用了传统硅基 igbt 的封装结构，为此难以发挥 sic 材料的优异特性，主要挑战包括可靠性和成本等挑战。 成本. 从市场开拓角度,高成本是目前sic功率模块发展的最大瓶颈,相较于硅基igbt模块,其成本现阶段仍高出2 …

• 第三代半导体材料：碳化硅SiC产业及个股梳理

  一. 碳化硅SiC概览半导体材料按照历史进程可分为：第一代（高纯度硅），第二代（砷化镓、磷化铟），第三代（碳化硅、氮化镓）。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能。基于碳化硅材料的半导体器件主要应用于 新能...

• SIC知识（9）--碳化硅晶片C面和Si面详解

  文章浏览阅读3.5k次，点赞4次，收藏13次。本文详细介绍了碳化硅(SiC)的化合物性质，包括其结构特点（如Si-C四面体和层状结构），键能比较，以及不同晶型的标记方法。着重讨论了C面和硅面对碳化硅晶片性能的影响，以及在器件制造工艺中的作用。

• 第三代半导体材料：碳化硅SiC产业及个股梳理

  一. 碳化硅SiC概览半导体材料按照历史进程可分为：第一代（高纯度硅），第二代（砷化镓、磷化铟），第三代（碳化硅、氮化镓）。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压 …

• SiC技术如何提高太阳能逆变器系统的效率-电子工程专辑

  有望改变太阳能发电管理的材料技术是碳化硅 (sic)。太阳能制造商利用这种神奇的材料制造出高效、坚固的太阳能逆变器系统，将光伏 (pv) 电池产生的直流电转化为家用和商用交流电。主要有三种逆变器架构：微型光伏逆变器、光伏组串逆变器和光伏集中逆变器。

• 半导体碳化硅（SiC）功率器件技术进展及趋势分析的 …

  根据器件集成度不同, sic功率半导体 可分为ic和功率分立器件;根据载流子类型,可分为单极型(如mosfetsbd二极管)和双极型(如pin二极管、igbt、 bjt、gto) ;根据功能不同,可以分为二极管和晶体管; 目前,sic分立器件已实现大规模产业化(例如碳 …

• 第912期：一个生僻的冷门小词 [sic]，高级语法

  有两点要注意：1. 使用方括号[ ]；2. 方括号中的sic要用斜体 sic. Sic是拉丁语 sic erat scriptum 的缩略形式，意思是 thus was it written, 翻译成英语一般简略为 "thus", "just as"，所以翻译成汉语就是"原文如此"。 为什么明知是原文错误，不改正过来呢？

• 终于有人把碳化硅（SiC）是什么，有哪些用途和优势说明白了

  SiC不同晶体结构性能各异，4H-SiC综合性能最佳。 SiC由于C原子和Si原子结合方式多样，有200多种同质异型晶体结构，其中6H-SiC结构稳定，发光性能好，适合光电子器件；3C-SiC饱和电子漂移速度高，适合高频大功率器件；4H-SiC电子迁移率高、导通电阻低、电流密 …

• SiC的各种物理性质

  代表特性 主要项目 （111）配向牲材料 等方性材料 密度 g/cm3 弯曲强度（室温） MPa 抗拉强度（室温） MPa 杨氏模量（室温） GPa

• 碳化硅MOS管驱动电路的设计（后文基于分立元件）

  一、进展情况1.1引言 SiC器件与Si器件相比，在材料、结构等方面有所不同，在器件特性上也存在一些差异，因此不能用现有的Si基功率器件的驱动电路来直接驱动SiC功率器件，后者的驱动电路需专门设计。在SiC开关过程…

• 新能源汽车IGBT及SiC功率器件简介

  5 小时之前· 续航里程增加：sic逆变器的高效能特性减少了电能损耗 ... 简化散热系统：sic的高耐热性和低损耗特性降低了obc的散热需求，从而简化了冷却 ... 在光伏装机量大幅增长的带动 …

• 碳化矽

  碳化矽（英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鑽髓，為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。 自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。將碳化矽粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化矽顆粒，並可將之用於諸如汽車剎車片 ...

• OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点

  zhcac01 6 obc dc/dc sic mosfet 驱动选型及供电设计要点 ac dc dc dc dc c s c s c hv dc ed ed ed v s t 0-v h h figure 7. 800v obc dc/dc sic mosfet 应用场景 t tt t t tt t v s v t e y y t t t t hv -y t t hv -y t figure 8. 800v 三相obc 及移相全桥dcdc sic mosfet 应用位置 2 sic mosfet 应用特点 2.1 sic mosfet 应用特点 如前文所述，sic mosfet 在obc dc/dc 系统中 ...

• SIC

  (12-16) 【上海嘉定】登上《科学》期刊！ 脆性→塑性！ (12-10) 【上海嘉定】2024年度何梁何利基金奖颁布，嘉定这位科技工作者获奖 (12-10) 【上海科技】Science | 上海硅酸盐所发表无机非金属材料塑化调控研究进展 (12-10) 【科学网】脆性无机非金属材料的塑化研究

• 碳化硅陶瓷

  碳化硅(SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其Si--C键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500 ~600MPa的较高 ...

• Traps at the SiC/SiO2 Interface-SiC/SiO2界面陷阱

  sic/sio2界面 附近存在的多种陷阱（ 界面陷阱 、 近界面陷阱 和 氧化层陷阱 ）是影响器件长期可靠工作的主要原因。. 根据陷阱的分布位置，将 4h-sic mosfet 结构中的陷阱分为4h-sic半导体表面的界面陷阱、过渡层中的近界面陷阱以及sio2栅介质中的氧化层陷阱。 其中，界面陷阱是影响mosfet器件沟道迁移 ...

• 半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；

  从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决S…

• 碳化硅 (SiC)：提升分布式太阳能发电能效的秘密武器

  针对想 要在太阳能光伏设备中利用SiC的需求，安森美半导体还开发了一系列两通道或三通道的SiC升压模块，用于太阳能逆变器。 SiC功率器件具有比硅器件更胜一筹的性能，包括它们能够高速切换高压和电流，损耗低，热性能好。

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